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用于高电压超结终端的工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580048259.2
  • IPC分类号:H01L21/76
  • 申请日期:
    2005-12-27
  • 申请人:
    三维半导体公司
著录项信息
专利名称用于高电压超结终端的工艺
申请号CN200580048259.2申请日期2005-12-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-04-29公开/公告号CN101421836
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/76IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6查看分类表>
申请人三维半导体公司申请人地址
美国亚利桑那州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三维半导体公司当前权利人三维半导体公司
发明人石甫渊;布赖恩·D·普拉特
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人梁晓广;陆锦华
摘要
本发明公开了一种制造具有有源区和终端区的半导体器件的方法,其包括:提供具有彼此相反的第一和第二主表面的半导体衬底。该半导体衬底具有有源区和围绕该有源区的终端区。将第一主表面氧化。在终端区中形成第一多个沟槽和第一多个台面。以电介质材料填充终端区中的该第一多个沟槽。在终端区中的第二多个沟槽。以电介质材料填充该第二多个沟槽。

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