一种用于C/ZrC-SiC复合材料的陶瓷防护层及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011320572.X
IPC分类号：C04B41/89
申请日期：
2020-11-23
申请人：
航天特种材料及工艺技术研究所

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专利名称	一种用于C/ZrC-SiC复合材料的陶瓷防护层及其制备方法
申请号	CN202011320572.X	申请日期	2020-11-23
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-02-19	公开/公告号	CN112374916A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B41/89 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B41/00 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理（冷釉料之外的釉料入C03C 8/00）〔3〕 C04B41/80 仅对陶瓷的〔4〕 C04B41/81 涂覆或浸渍〔4〕 C04B41/89 形成至少两层具有不同组成的叠加层的〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;4;1;/;8;9查看分类表>
申请人	航天特种材料及工艺技术研究所	申请人地址	北京市丰台区云岗北里40号院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	航天特种材料及工艺技术研究所	当前权利人	航天特种材料及工艺技术研究所
发明人	裴雨辰;刘伟;杨良伟;张宝鹏;于艺;刘俊鹏;孙同臣;王涛
代理机构	北京格允知识产权代理有限公司	代理人	刘晓

摘要

本发明涉及一种用于C/ZrC‑SiC复合材料的陶瓷防护层及其制备方法。所述陶瓷防护层包括在C/ZrC‑SiC复合材料上依次形成的(TiZrHfTa)Cx‑SiC过渡层、(TiZrHfTa)Cx抗氧化涂层和SiC封孔层。所述方法为：通过PIP工艺制备(TiZrHfTa)Cx‑SiC过渡层；通过刷涂工艺在所述过渡层的基础上制备(TiZrHfTa)Cx抗氧化涂层；通过化学气相沉积工艺在所述抗氧化涂层的基础上制备SiC封孔层，得到陶瓷防护层。本发明制备的陶瓷防护层能够在2500℃以上温度具有优异的抗氧化性能，还与基体具有很高的结合力，在新型高超声速飞行器的端头、发动机等结构件上具有广阔的应用前景。

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