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硅片的生产方法及利用该方法生产的硅片、太阳能电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110467033.7
  • IPC分类号:H01L31/0216;H01L31/18
  • 申请日期:
    2021-04-28
  • 申请人:
    宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司
著录项信息
专利名称硅片的生产方法及利用该方法生产的硅片、太阳能电池
申请号CN202110467033.7申请日期2021-04-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-06公开/公告号CN113224178A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司申请人地址
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区文庄路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司当前权利人宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司
发明人高文秀;赵百通;佐佐木实;高向曈
代理机构无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙)代理人宋春荣
摘要
本发明公开了一种硅片的生产方法及利用该方法生产的硅片和太阳能电池,包括以下步骤:(1)基板存放;(2)基板检测;(3)制作薄硅片;(4)基板薄硅片退火;(5)基板硅片的p型或n型扩散;(6)形成pn结的基板硅片退火。利用本发明的方法能够实现50μm以下的硅薄膜,理论上可以省去80%以上的硅料,硅片直接自然生长在基板表面,厚度均匀,并在基板硅片上直接制作太阳能电池,提高发电效率。

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