加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

挥发性的咪唑类和咪唑基II族金属前体

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110038355.6
  • IPC分类号:C07D233/58;C07F3/02;C07F3/04;C07F3/00;C23C16/34;C23C16/40;C09K11/06
  • 申请日期:
    2011-02-09
  • 申请人:
    气体产品与化学公司
著录项信息
专利名称挥发性的咪唑类和咪唑基II族金属前体
申请号CN201110038355.6申请日期2011-02-09
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-02-08公开/公告号CN102344413A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07D233/58IPC分类号C;0;7;D;2;3;3;/;5;8;;;C;0;7;F;3;/;0;2;;;C;0;7;F;3;/;0;4;;;C;0;7;F;3;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6查看分类表>
申请人气体产品与化学公司申请人地址
美国亚利桑那州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人弗萨姆材料美国有限责任公司当前权利人弗萨姆材料美国有限责任公司
发明人J·A·T·诺曼;M·K·佩里兹;金武性
代理机构北京市金杜律师事务所代理人吴亦华;尚继栋
摘要
本发明涉及挥发性的咪唑类和咪唑基II族金属前体。描述了立体位阻的咪唑配体以及它们的合成,所述咪唑配体能够以eta-5配位模式与II族金属(诸如钙、镁、锶)配位,这允许形成单体或二聚体挥发性络合物。一种包含与选自钡、锶、镁、镭或钙或其混合物的金属配位的一个或多个多取代的咪唑基配体阴离子的化合物。或者,一个阴离子可以被第二非咪唑基配体阴离子取代。本发明也涉及新化合物的合成及其用于形成BST膜的用途。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供