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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

LED外延片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320549195.6
  • IPC分类号:H01L33/06;H01L33/02
  • 申请日期:
    2013-09-05
  • 申请人:
    山东开元电子有限公司
著录项信息
专利名称LED外延片
申请号CN201320549195.6申请日期2013-09-05
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/06IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人山东开元电子有限公司申请人地址
山东省潍坊市昌乐县城孤山街183号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东开元电子有限公司当前权利人山东开元电子有限公司
发明人刘树高;安建春
代理机构潍坊鸢都专利事务所代理人王庆德
摘要
本实用新型公开了一种LED外延片,包括依次叠加的衬底、GaN缓冲层、第一N-GaN接触层、第一多量子阱发光层、P-GaN接触层、N型电极和P型电极,所述P-GaN接触层另一面依次设有第二多量子阱发光层和第二N-GaN接触层;第一N-GaN接触层和第二N-GaN接触层上均与N型电极连接。本实用新型P-GaN接触层的两侧设有并联的发光层,有源发光层的面积增加了一倍,在相同的驱动电流下,流过发光层的电流密度下降了一半,电流密度均匀化程度提高,降低了电流抑制衰退现象,同时LED的正向压降降低,发光效率高。发光层面积的增加,在保证亮度的情况下,可以缩小芯片面积,提高驱动电流,既降低LED芯片成本,又不会降低光效。

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