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生长在GaAs衬底上的InAs量子点及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510373122.X
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L31/0304
  • 申请日期:
    2015-06-29
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称生长在GaAs衬底上的InAs量子点及其制备方法
申请号CN201510373122.X申请日期2015-06-29
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2015-10-28公开/公告号CN105006426A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市天河区五山路381号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人张曙光;李国强;温雷;高芳亮;李景灵
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人陈文姬
摘要
本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InAs量子点,由下至上依次包括GaAs衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。本发明的另一目的在于提供上述生长在GaAs衬底上的InAs量子的制备方法:(1)对GaAs衬底进行清洗;(2)对GaAs衬底进行除气和脱氧预处理;(3)在GaAs衬底上生长InAs量子点层:(4)在InAs量子点层上覆盖GaAs盖层;(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InAs量子点,极大提高了InAs量子点的光致发光强度,且制备方法简单、成本较低,是一种制备强光致发光强度的高密度InAs量子点的有效方法。

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