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一种利用超短脉冲激光制备硅基表面陷光结构的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210052373.4
  • IPC分类号:B23K26/18;B23K26/70;H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-03-02
  • 申请人:
    江苏大学
著录项信息
专利名称一种利用超短脉冲激光制备硅基表面陷光结构的方法
申请号CN201210052373.4申请日期2012-03-02
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-07-18公开/公告号CN102581484A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B23K26/18IPC分类号B;2;3;K;2;6;/;1;8;;;B;2;3;K;2;6;/;7;0;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人江苏大学申请人地址
江苏省南通市海安市海安街道镇南路428号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南通通迈自动化科技有限公司当前权利人南通通迈自动化科技有限公司
发明人李保家;周明;黄立静;张伟;唐万羿;马明;蔡兰
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人楼高潮
摘要
本发明涉及硅基表面陷光结构,特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法,可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足,提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法,无需气体或液体作为环境介质,通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。

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