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有机光敏器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200480021077.1
IPC分类号：H01L51/42;H01L31/00
申请日期：
2004-06-24
申请人：
普林斯顿大学理事会

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	有机光敏器件及其制造方法
申请号	CN200480021077.1	申请日期	2004-06-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-30	公开/公告号	CN1826186
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;0查看分类表>
申请人	普林斯顿大学理事会	申请人地址	美国新泽西变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	普林斯顿大学理事会	当前权利人	普林斯顿大学理事会
发明人	P·普曼斯;内田聪一;S·R·福里斯特
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	蔡胜有

摘要

本发明公开了有机光敏光电子器件。该器件是暴露于光时能够产生电压的薄膜结晶态有机光电子器件，其制备方法包括如下步骤在第一电极上沉积第一有机层；在第一有机层上沉积第二有机层；在第二有机层上沉积限制层以形成叠层；对该叠层进行退火；最后在第二有机层上沉积第二电极。

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