薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材

发明专利无效专利

申请号：
CN201110281125.2
IPC分类号：C23C14/00;C23C14/08;C04B35/453;B32B9/04;C08J5/18
申请日期：
2011-09-21
申请人：
三菱综合材料株式会社

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著录项信息

专利名称	薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材
申请号	CN201110281125.2	申请日期	2011-09-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-02	公开/公告号	CN102433528A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;B;3;2;B;9;/;0;4;;;C;0;8;J;5;/;1;8查看分类表>
申请人	三菱综合材料株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱综合材料株式会社	当前权利人	三菱综合材料株式会社
发明人	黛良享;有泉久美子
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	陈万青;王珍仙

摘要

本发明提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为Y2O3粉末，该第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为选自ZnO、MgO和CaO中的一种粉末或两种以上的混合粉末，该第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的比例为5～85∶95～15，且颗粒的碱度为0.1以上。

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