抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器

发明专利有效专利

申请号：
CN201110323896.3
IPC分类号：H03K3/013;H03K19/003;H03K3/02
申请日期：
2011-10-21
申请人：
中国人民解放军国防科学技术大学

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著录项信息

专利名称	抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器
申请号	CN201110323896.3	申请日期	2011-10-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-28	公开/公告号	CN102394599A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K3/013 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K3/00 用于产生电脉冲的电路；单稳态，双稳态或多稳态电路（H03K 4/00优先；用于计算机的数字函数发生器入G06F 1/02）〔5〕 H03K3/01 零部件〔3〕 H03K3/013 为防止噪声或干扰起作用而对发生器的改进〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;3;/;0;1;3;;;H;0;3;K;1;9;/;0;0;3;;;H;0;3;K;3;/;0;2查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科学技术大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路109号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科学技术大学	当前权利人	中国人民解放军国防科学技术大学
发明人	刘宗林;池雅庆;李鹏;梁斌;刘必慰;胡春媚;陈建军;何益百;杜延康;秦军瑞
代理机构	国防科技大学专利服务中心	代理人	郭敏

摘要

本发明公开了一种抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器和输出缓冲电路组成；主锁存器由二十个PMOS管和二十个NMOS管组成，从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，且主锁存器和从锁存器中C2MOS电路结构均进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉电路和下拉电路。本发明的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。

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