著录项信息
专利名称 | 能量均衡的喷墨打印头 |
申请号 | CN01813337.1 | 申请日期 | 2001-01-26 |
法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 2003-09-24 | 公开/公告号 | CN1444522 |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | B41J2/14 | IPC分类号 | B;4;1;J;2;/;1;4;;;B;4;1;J;2;/;1;6查看分类表>
|
申请人 | 惠普公司 | 申请人地址 | 美国德克萨斯州
变更
专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效 |
权利人 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 当前权利人 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 |
发明人 | J·M·托尔格尔森;D·M·胡尔斯特 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 崔幼平;章社杲 |
摘要
一种具有场效应晶体管驱动电路(85)的喷墨打印头(11、12、13),该驱动电路被构造成补偿电力迹线(86、181)的寄生电阻。场效应晶体管驱动电路具有长度选定的漏极区,以便设定场效应晶体管驱动电路的导通电阻。在另一实施例中,选择场效应晶体管电路的尺寸。
1、一种喷墨打印头,其包括:
由衬底和多个薄膜层(11、12、13)形成的打印头;
墨滴发生器(40)的纵向阵列(61),其被限定在所述打印头中并 与所述打印头的纵向范围对准;
结合片(74);
场效应晶体管电路(85)的纵向阵列(81),其邻近所述墨滴发生 器形成在所述打印头中并与所述打印头的纵向范围对准;
在所述结合片与所述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路之间电 连接的导电迹线(86、181);以及
其中,所述场效应晶体管电路被分别构造成,补偿由所述电力迹线 呈现的寄生电阻的变化。
2、如权利要求1所述的喷墨打印头,其特征在于,所述场效应晶 体管电路各自的导通电阻被选择成,补偿由所述电力迹线呈现的所述寄 生电阻的所述变化。
3、如权利要求2所述的喷墨打印头,其特征在于,每个所述场效 应晶体管电路包括:
漏极(87);
漏极区(89);
使所述漏极与所述漏极区电连接的漏极接点(88);
源极(97);
源极区(99);
使所述源极与所述源极区电连接的源极接点(98);以及
其中,所述漏极区的尺寸确定成,每个所述场效应晶体管电路的导 通电阻补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的所述变化。
4、如权利要求3所述的喷墨打印头,其特征在于,所述漏极区包 括细长的漏极区,每个漏极区包括一连续不接触的区段,该区段具有被 选择成设定所述导通电阻的长度。
5、如权利要求2所述的喷墨打印头,其特征在于,选择每个所述 场效应晶体管电路的尺寸来设定所述导通电阻。
6、如权利要求1-5中任一项所述的喷墨打印头,其特征在于,所 述电力迹线包括接地母线,该接地母线沿所述打印头的纵向范围延伸并 具有一横截于所述打印头的纵向范围的宽度,其沿所述打印头的纵向范 围变化。
7、如权利要求6所述的喷墨打印头,其特征在于,所述接地母线 的所述宽度随着距所述打印头结构的所述纵向分离端中的最近一端的 距离的增加而减小。
8、一种墨滴发射装置,其包括:
包括多个薄膜层(11、12、13)的衬底;
限定在所述衬底中的多个墨滴发生器(40);
形成在所述衬底中并分别与所述墨滴发生器连接的多个场效应晶 体管电路(85);
结合片;
在所述结合片与所述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路之间 电连接的电力迹线(86、181);以及
其中,所述场效应晶体管电路各自的导通电阻被选择成,补偿由 所述电力迹线呈现的寄生电阻的变化。
9、如权利要求8所述的墨滴发射装置,其特征在于,选择每个所 述场效应晶体管电路的尺寸来设定所述导通电阻。
10、如权利要求8所述的墨滴发射装置,其特征在于,每个所述 场效应晶体管电路包括:
漏极(87);
漏极区(89);
使所述漏极与所述漏极区电连接的漏极接点(88);
源极(97);
源极区(99);以及
使所述源极与所述源极区电连接的源极接点(98);
其中,所述漏极区的尺寸确定成,设定每个所述场效应晶体管电路 的导通电阻,以便补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的变化。
11、如权利要求10所述的墨滴发射装置,其特征在于,所述漏极 区包括细长的漏极区,每个漏极区包括一连续不接触的区段,该区段具 有被选择成设定所述导通电阻的长度。
12、如权利要求8所述的墨滴发射装置,其特征在于,
所述衬底具有纵向范围和纵向分离的端部;
所述墨滴发生器布置成纵向阵列(61),其被限定在所述衬底中并 与所述纵向范围对准;
所述场效应晶体管电路布置成纵向阵列(81),其邻近所述墨滴发 生器形成在所述衬底中并与所述纵向范围对准;以及
所述场效应晶体管电路被构造成具有各自的的导通电阻,所述导通 电阻随着离开所述纵向分离端部中的最近一个端部的距离增大而减 小,以便补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的变化。
技术领域\n本发明总体上涉及喷墨打印,尤其涉及一种薄膜喷墨打印头,该喷 墨打印头具有FET(场效应晶体管电路)驱动电路或FET电路,其被构 造成沿接地母线补偿寄生功耗。\n背景技术\n喷墨打印技术发展得较好。商业产品比如计算机打印机、绘图机和 传真机都已采用喷墨技术来产生打印介质。例如,在 Hewlett-Packard Journal第36卷第5期(1985年5月)、第39卷第5期(1988年10 月)、第43卷第4期(1992年8月)、第43卷第6期(1992年12月) 以及第45卷第1期(1994年2月)的多篇文章中描述了惠普公司在喷 墨技术上所作的贡献,在此全部引入以供参考。\n一般来说,喷墨图像是根据通称喷墨打印头的墨滴发生装置喷射的 墨滴在打印介质上的精确定位形成的。典型地,喷墨打印头被支承在一 个可移动的打印滑架上,该滑架在打印介质的表面上来回移动,并且喷 墨打印头被控制成根据微型计算机或其它控制器的命令以适当的次数 喷射墨滴,其中将墨滴的施加时间确定为与打印图像像素的图案相对 应。\n一种典型的惠普喷墨打印头包括一个在孔板中精确成形的喷嘴阵 列,孔板装接在墨水阻挡层上,而墨水阻挡层又装接在一薄膜下层结构 上,该薄膜下层结构具有喷墨加热器电阻和启动电阻的装置。墨水阻挡 层限定了墨水通道,墨水通道包括位于相关的喷墨电阻上的墨水腔,而 孔板中的喷嘴与相关的墨水腔对准。墨滴发生器区域是由墨水腔、薄膜 下层结构的一部分以及与墨水腔相邻的孔板形成的。\n薄膜下层结构一般包括一衬底比如硅,其上形成有各种形成薄膜喷 墨电阻的薄膜层;用于启动该电阻的装置;以及与结合片相连的互连部 分,互连部分提供了与打印头连接的外部电连接件。墨水阻挡层一般为 一种聚合物材料,其作为一种干膜被层压到薄膜下层结构上,并被设计 成可进行光致定形(photodefinable)和可紫外线及热固化。在槽供给 式结构的喷墨打印头中,墨水通过形成在衬底中的一个或多个供墨槽从 一个或多个墨水储存器被输送给相应的墨水腔。\n上面提及的1994年2月的 Hewlett-Packard Journal的第44页中 描述了孔板、墨水阻挡层和薄膜下层结构的实际布置的一个示例。共同 转让的美国专利4719477和5317346中描述了喷墨打印头的其它示例, 在此引入该两份专利,以供参考。\n关于薄膜喷墨打印头的注意事项包括需要保证每个加热器电阻在 被选择时加热墨滴。由于加热器电阻与电源和地面接触片之间的导电迹 线呈现的排散寄生电阻中的变化,被提供给加热器电阻的加热信号一般 包括一定量的能量过量。这意味着,一些电阻最终接收比足够加热墨滴 的能量还要多的能量,而另外一些电阻仅接收足以加热墨滴能量的能 量。过多的能量带来不同的负面影响,其包括缩短电阻寿命;“凝聚 (kogation)”,其指粘附在墨水腔中的钝化层上的墨水成分的聚积; 以及降低打印头的可靠性。同样,不同电阻上不同能量的施加导致气泡 成核和墨滴形成的不一致。\n虽然改变迹线宽度是一种已知的能量平衡技术,但这种技术的使用 使得难于减小打印头的薄膜下层结构的宽度。\n因此,需要提供一种改进的喷墨打印头,其中更均匀地向加热器电 阻提供能量。\n发明内容\n披露的本发明涉及一种喷墨打印头,其具有向场效应晶体管驱动电 路提供能量的加热器电阻,场效应晶体管驱动电路被构造成补偿电力迹 线的寄生电阻的变化,从而减小提供给打印头的加热器电阻的能量的变 化。\n基于上述目的,本发明提供一种喷墨打印头,其包括由衬底和多个 薄膜层形成的打印头;墨滴发生器的纵向阵列,其被限定在所述打印头 中并与所述打印头的纵向范围对准;结合片;场效应晶体管电路的纵向 阵列,其邻近所述墨滴发生器形成在所述打印头中并与所述打印头的纵 向范围对准;在所述结合片与所述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路 之间电连接的导电迹线;以及其中,所述场效应晶体管电路被分别构造 成,补偿由所述电力迹线呈现的寄生电阻的变化。在其它方面,所述场 效应晶体管电路各自的导通电阻被选择成,补偿由所述电力迹线呈现的 所述寄生电阻的所述变化。每个所述场效应晶体管电路包括漏极;漏极 区;使所述漏极与所述漏极区电连接的漏极接点;源极;源极区;使所 述源极与所述源极区电连接的源极接点;以及其中,所述漏极区的尺寸 确定成,每个所述场效应晶体管电路的导通电阻补偿由所述电力迹线呈 现的所述寄生电阻的所述变化。所述漏极区包括细长的漏极区,每个漏 极区包括一连续不接触的区段,该区段具有被选择成设定所述导通电阻 的长度。选择每个所述场效应晶体管电路的尺寸来设定所述导通电阻。 所述电力迹线包括接地母线,该接地母线沿所述打印头的纵向范围延伸 并具有一横截于该打印头的纵向范围的宽度,其沿该打印头的纵向范围 变化。所述接地母线的所述宽度随着距所述打印头结构的所述纵向分离 端中的最近一端的距离的增加而减小。\n本发明还提供一种墨滴发射装置,其包括包括多个薄膜层的衬底; 限定在所述衬底中的多个墨滴发生器;形成在所述衬底中并分别与所述 墨滴发生器连接的多个场效应晶体管电路;结合片;在所述结合片与所 述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路之间电连接的电力迹线;以及其 中,所述场效应晶体管电路各自的导通电阻被选择成,补偿由所述电力 迹线呈现的寄生电阻的变化。在其它方面,选择每个所述场效应晶体管 电路的尺寸来设定所述导通电阻。每个所述场效应晶体管电路包括漏 极;漏极区;使所述漏极与所述漏极区电连接的漏极接点;源极;源极 区;以及使所述源极与所述源极区电连接的源极接点;其中,所述漏极 区的尺寸确定成,设定每个所述场效应晶体管电路的导通电阻,以便补 偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的变化。所述漏极区包括细长的 漏极区,每个漏极区包括一连续不接触的区段,该区段具有被选择成设 定所述导通电阻的长度。所述衬底具有纵向范围和纵向分离的端部;所 述墨滴发生器布置成纵向阵列,其被限定在所述衬底中并与所述纵向范 围对准;所述场效应晶体管电路布置成纵向阵列,其邻近所述墨滴发生 器形成在所述衬底中并与所述纵向范围对准;以及所述场效应晶体管电 路被构造成具有各自的的导通电阻,所述导通电阻随着离开所述纵向分 离端部中的最近一个端部的距离增大而减小,以便补偿由所述电力迹线 呈现的所述寄生电阻的变化。\n附图说明\n对于本领域的技术人员来说,当结合附图阅读下面详细的说明时, 将容易理解本发明的优点和特征,其中:\n图1是示出采用本发明的喷墨打印头布局的未按比例绘制的顶视平 面示意图;\n图2是图1喷墨打印头的局剖透视示意图;\n图3是示出图1喷墨打印头的未按比例绘制的示意局部顶视平面 图;\n图4是局部顶视平面图,大致示出了图1打印头的FET驱动电路阵 列和相关接地母线的布局;\n图5是电路示意图,示出了图1打印头的加热器电阻与FET驱动电 路的电连接;\n图6是图1打印头的典型FET驱动电路和相关接地母线的平面图;\n图7是图1打印头的典型FET驱动电路的侧视横剖图;\n图8是平面图,其示出了图1打印头的FET驱动电路阵列和相关接 母线的实施方式;\n图9是可采用本发明打印头的打印机的未按比例绘制的示意透视 图。\n具体实施方式\n在下面详细的说明和附图中,相同的元件用相同的附图标记表示。\n现在参见图1和2,这里示意性地示出了一个本发明采用的喷墨打 印头的未按比例绘制的示意透视图,该喷墨打印头通常包括(a)一薄 膜下层结构或底模11,该下层结构包括一衬底,比如硅,其上形成有不 同的薄膜层,(b)一墨水阻挡层12,其设置在薄膜下层结构11上,以 及(c)一孔口板或喷嘴板13,其层压地装接在墨水阻挡层12的顶部。\n薄膜下层结构11依照常规集成电路的技术来成形,并包括形成在 其内的薄膜加热器电阻56。该墨水阻挡层12由干膜形成,该干膜在热 和压力的作用下被层压到薄膜下层结构11上并光致定形以在其内形成 墨水腔19和墨水通道29,该墨水腔和通道被设置在电阻区域上,加热 器电阻形成在电阻区域内。可用于外部电连接接合的金制结合片74设 置在薄膜下层结构11的纵向隔开的相对端,并且没有被墨水阻挡层12 覆盖。作为说明性的示例,阻挡层材料包括一种丙烯酸酯基的感光聚合 物干膜。孔板13包括例如一种由聚合物材料组成的平面衬底,如共同 转让的美国专利5469199所披露的,孔口通过激光烧蚀形成在其中,该 专利的内容在此引入以供参考。孔板还可包括电镀金属,例如镍。\n如图3所示,墨水阻挡层12内的墨水腔19被特别地设置在相应的 加热器电阻56之上,每个墨水腔19由形成在阻挡层12内的腔开口的 互连边缘或壁来限定。墨水通道29由形成在阻挡层12内的另一开口限 定,并且与相应的喷墨腔19一体相连。图1、2和3在示例中示出了槽 供给式喷墨打印头,其中墨水通道开口通向一个由薄膜下层结构中的供 墨槽形成的边缘,由此供墨槽的边缘形成供给边缘。\n孔板13包括孔口或喷嘴21,其被设置在相应的墨水腔19之上,以 使每个加热器电阻56、相关的墨水腔19以及相关的孔口21对准并形成 一墨滴发生器40。\n虽然已将该公开的打印头描述为具有一阻挡层和一分开的孔板,但 应理解,本发明可在具有一体的阻挡层/孔口结构的打印头中实现,一 体的阻挡层/孔口结构可以用单层感光聚合物制成,该单层感光聚合物 是经多道曝光程序曝光然后形成的。\n墨滴发生器40被布置在相对于参考轴线L横向相互隔开的三纵列 或三个组61、62、63中。每个墨滴发生器组的加热器电阻56一般与参 考轴线L对准,且具有一个预定的中心,以便沿着参考轴线L确定间距 或喷嘴节距P的中心。作为说明性的示例,薄膜下层结构为矩形,且其 相对的边缘51、52为长度尺寸上的纵向边缘,而纵向间隔开的相对的 边缘53、54具有小于打印头长度尺寸的宽度尺寸。薄膜下层结构的纵 向范围沿平行于参考轴线L的边缘51、52。使用时,该参考轴线L可与 通常称为介质行进轴线的轴线对准。\n虽然每个墨滴发生器组的墨滴发生器40被表示为基本上在同一直 线上,但应理解,一个墨滴发生器组的一些墨滴发生器40可稍微偏离 于列的中心线,例如为了补偿发射延时。\n由于每个墨滴发生器40包括一加热器电阻56,因此将加热器电阻 布置成与墨滴发生器相对应的组或阵列。为了方便起见,采用相同的附 图标记61、62、63来表示墨滴发生器阵列或组。\n图1、2和3中打印头的薄膜下层结构11特别地包括供墨槽71、72 和73,它们与参考轴线L对准,且相对于参考轴线L相互横向地间隔开。 供墨槽71、72和73分别给墨滴发生器组61、62和63供墨,作为说明 性的示例,其位于它们分别供墨的墨滴发生器组的同一侧。作为说明性 的示例,每个供墨槽提供不同颜色如青色、黄色和品红色的墨水。\n薄膜下层结构11还包括晶体管驱动电路阵列81、82和83,其形成 在薄膜下层结构11中且邻近相应的墨滴发生器组61、62、63。每个驱 动电路阵列81、82、83包括多个与相应的加热器电阻56相连的FET(场 效应晶体管)驱动电路85。接地母线181、182、183与每个驱动电路阵 列81、82、83相关,该接地母线与邻近的驱动电路阵列81、82、83的 全部FET(场效应晶体管)驱动电路8 5的源极端子电连接。每一接地 母线181、182、183与处于打印头结构一端的至少一个结合片74电气 互连,并与处于打印头结构另一端的至少一个接点片74电气互连。\n如图5所示,每个FET驱动电路85的漏极端子与邻近的加热器电 阻56的一个端子电连接,该加热器电阻56通过导电迹线(conductive trace)86在其另一端子处接收合适的墨水发射基元选择信号PS,该导 电迹线86通向在打印头结构一端处的接点片74。例如,该导电迹线86 包括在金制的金属喷镀层内的迹线,其位于金属喷镀层上面并与金属喷 镀层绝缘地分开,接地母线181、182、183形成在金属喷镀层内。导电 迹线86通过导电通道和金属迹线(metal trace)57(图6)与加热器电 阻56电连接,金属迹线57形成在与接地母线181、182、183相同的金 属喷镀层内。同样,用于特定加热器电阻的导电迹线86一般通向最接 近加热器电阻的一端上的结合片74。根据实施方式,一个特定的墨滴发 生器组61、62、63的加热器电阻56可以被布置在多个基元组中,其中 特定基元的墨滴发生器可转换地与相同的墨水发射基元选择信号并联 连接,正如共同转让的美国专利5604519、5638101和3568171所披露 的那样,其在此引入以供参考。每个FET驱动电路的源极端子与邻近相 关的接地母线181、182、183电连接。\n为便于参照,将包括导电迹线86和接地母线的导电迹线总称为电 力迹线,其将加热器电阻56和相关的FET驱动电路85电连接到结合片 74上。同样为便于参照,可将导电迹线86称作高压或未接地的电力迹 线。\n通常,每个FET驱动电路85的寄生电阻(或导通电阻)被构造成, 以便补偿该寄生电阻中的变化,该变化通过由电力迹线形成的寄生通路 出现在不同的FET驱动电路85中,从而减小提供给加热器电阻的能量 中的变化。特别是,电力迹线形成一寄生通路,该寄生通路使FET驱动 电路产生一个寄生电阻,该寄生电阻随着在该通路上的位置变化而变 化,并且这样选择每个FET驱动电路85的寄生电阻,即,使得每个FET 驱动电路85的寄生电阻和FET驱动电路所呈现的电力迹线的寄生电阻 的结合仅在一个墨滴发生器到另一个墨滴发生器之间具有细微变化。由 于加热器电阻56基本上都具有相同的电阻,因而将每个FET驱动电路 85的寄生电阻构造成以便补偿不同FET驱动电路85呈现的相关电力迹 线的寄生电阻的变化。以这种方式,如果达到这样的程度,即将基本上 相等的能量提供给与电力迹线相连的结合片,就可将基本上相等的能量 提供给不同的加热器电阻56。\n尤其参见图6和7,每个FET驱动电路85包括多个相互电连接的漏 极或漏极指形部87,该漏极87设置在形成于硅衬底111中的漏极区或 漏极区指形部89上;和多个相互电连接的源极或源极指形部97,该源 极97与漏极87交叉或交错并设置在形成于硅衬底111中的源极区或源 极区指形部99上。在相应端部相连的多晶硅栅极指形部91设置在形成 于硅衬底111中的一层薄的栅极氧化层93上。一层磷硅酸盐玻璃层95 将漏极87和源极97从硅衬底111上分开。多个导电的漏极接点88使 漏极87和漏极区89电连接,而多个导电的源极接点98使源极97和源 极区99电连接。作为说明性的示例,漏极87、漏极区89、源极97、源 极区99和多晶硅栅极指形部91基本上垂直或横截于参考轴线L延伸, 并延伸到接地母线181、182、183的纵向范围。同样,对于每个FET驱 动电路85,横截于参考轴线L的漏极区89和源极区99的范围与横截于 参考轴线L的栅极指形部的范围相同,如图6所示,其限定了横截于参 考轴线L的作用区的范围。为便于参照,在这些元件是长而窄的条状或 指状形式的程度内,可将漏极87、漏极区89、源极97、源极区99和多 晶硅栅极指形部91的范围称作这些元件的纵向范围。\n作为说明性的示例,通过控制漏极区指形部的连续不接触区段的纵 向范围或长度,从而独立地设定每个FET驱动电路85的导通电阻,其 中连续不接触区段没有漏极接点88。例如,漏极区指形部的连续不接触 区段可开始于离加热器电阻56最远的漏极87的端部。特定FET驱动电 路85的导通电阻随连续不接触的漏极区指形部区段长度的增加而增 加,并选择这样的长度来确定特定FET驱动电路的导通电阻。\n作为另一示例,每个FET驱动电路85的导通电阻是通过选择FET 驱动电路的尺寸来设定的。例如,可选择横截于参考轴线L的FET驱动 电路的范围来限定导通电阻。\n就典型的实施方式而言,其中用于特定FET驱动电路85的电力迹 线通过相当直的通路通向在打印头结构的最近的纵向分离端上的结合 片74,寄生电阻随距打印头的最近端的距离而增加,而FET驱动电路 85的导通电阻随距该最近端距离而减小(更有效地形成FET驱动电 路),从而抵消电力迹线中的寄生电阻的增加。作为一特定示例,就开 始于离加热器电阻86最远的漏极区指形部的端部的相应FET驱动电路 85的连续不接触漏极指形部区段而言,这些区段的长度随距打印头结构 的最近的纵向分离端的距离而减小。\n每一接地母线181、182、183是由与FET驱动电路85的漏极87和 源极97相同的薄膜导电层形成的,而包括漏极区89、源极区99和多晶 硅栅极91的每个FET驱动电路的作用区有利地在一条相关的接地母线 181、182、183下方延伸。这就允许接地母线和FET驱动电路阵列占用 较窄的区域,从而又允许形成较窄且因此成本较低的薄膜下层结构。\n另外,在一实施方式中,其中漏极区指形部的连续不接触区段开始 于离加热器电阻56最远的漏极区指形部的端部,横截于参考轴线L或 沿其横向并朝向相关加热器电阻56的每一接地母线181、182、183的 范围可随连续不接触的漏极指形部段的长度的增加而增加,这是因为漏 极并不需要延伸到这样的连续不接触的漏极指形部段上。换句话说,根 据连续不接触的漏极区的区段的长度,接地母线181、182、183的宽度 W可通过增加接地母线与FET驱动电路85的作用区的重叠量来增加。这 并不通过增加接地母线181、182、183及其相关FET驱动电路阵列81、 82、83占用区域的宽度来实现,这是因为该增加是通过增加接地母线与 FET驱动电路85的作用区之间的重叠量实现的。有效的是,在任一特定 的FET驱动电路85处,接地母线可基本上通过漏极区的不接触区段的 长度在作用区的范围内重叠,即与漏极区的漏极实际接触的区段,该作 用区横截于FET驱动电路在其上对齐的参考轴线L。\n对于该特定示例来说,其中连续不接触的漏极区区段开始于离加热 器电阻56最远的漏极区指形部的端部,并且该连续不接触的漏极区区 段的长度随距打印头结构的最近端的距离而减小,接地母线181、182、 183宽度的调整或变化与连续不接触的漏极区区段的长度变化一起形成 了宽度W随距打印头结构最近端的接近度增加的接地母线,如图8所 示。由于共享电流的量随着距结合片74的接近度增加,因此该形状有 利地形成了随着距结合片74的接近度而减小的接地母线电阻。\n虽然上述文字涉及的是一种具有三个供墨槽的打印头,供墨槽具有 仅沿其一侧设置的墨滴发生器,但应理解,所公开的FET驱动电路阵列 和接地母线结构可采用多种槽供给式、边缘供给式或组合起来的槽和边 缘供给式结构来实现。并且,墨滴发生器可设置于供墨槽的一侧或两 侧。\n现在参见图9,图9是一可采用上述打印头的喷墨打印装置110示 例的示意透视图。图9的喷墨打印装置110包括一个被壳体或外壳124 包围的底架122,其一般为模塑材料。该底架122例如由金属薄片形成 并包括一垂直面板122a。多张打印介质通过一适配的打印介质处理系统 126被单独地输送过打印区125,该打印介质处理系统包括一个在打印 前储存打印介质的供送盘128。打印介质可为任何类型的合适的可打印 的片材如纸张、卡纸、透明胶片、聚酯薄膜等,但为方便起见,在所述 实施例中采用纸张作为打印介质。可采用一系列常规的包括由步进马达 驱动的驱动辊129的马达驱动辊来使打印介质从供送盘128移动到打印 区125中。打印之后,驱动辊129将打印纸张驱动到一对可伸缩的输出 干燥翼形件130,该翼形件130表示在一个伸展位置,以接纳打印纸张 并防止打印纸张掉落到输出盘132中的其它干燥纸张上。在枢转地缩到 侧端之前翼形件130在任何仍在输出盘132中干燥的先行打印的纸张上 短时间地固定刚刚打印的纸张,如弯曲的箭头133所示,从而使新打印 的纸张降落到输出盘132中。打印介质处理系统可包括一系列调节机构 例如一滑动长度调节臂134和一信封供给槽135,以容纳不同大小的打 印介质,其包括信件、法律声明、A-4纸、信封等。\n图9的打印机还包括一个打印机控制器136,其被示意性地示出为 一个微处理机,其设置在支承于底架垂直面板122a的背面上的打印电 路板139上。打印机控制器136接收来自主机如个人计算机(未示出) 的指令,并控制打印机的操作,操作包括打印介质前进通过打印区15、 打印滑架140的运动以及给墨滴产生器40的施加信号。\n具有平行于滑架扫描轴线的纵轴线的打印滑架滑动杆138被底架 122支承,从而大范围地支承打印滑架140以作往复运动或沿滑架扫描 轴线扫描。打印滑架140支承第一和第二可移动的喷墨打印头盒150、 152(每个打印头盒有时叫作“记录头”、“打印盒”或“墨盒”)。打 印盒150、152各自包括打印头154、156,它们分别具有一般面向下的 喷嘴以使墨水向下喷射到打印区125中的一部分打印介质上。打印盒 150、152特别地通过闭锁机构夹持在打印滑架140中,该闭锁机构包括 夹持杆、闭锁件或盖170、172。\n合适的打印滑架的说明性示例被公开在共同转让的受理号为 10941036、申请日为1996年11月26日、发明人为Harmon等人的美国 专利申请序列号08/757009中,在此引入以供参考。\n仅供参考,打印介质沿着平行于与打印介质部分相切的轴线通过打 印区125前进,该打印介质部分位于打印盒150、152喷嘴的下方并且 喷嘴横过该部分。如果介质轴线和滑架轴线位于同一平面的话,如图9 所示,它们就会相互垂直。\n打印滑架背面上的防转动机构与水平定位的防枢转杆185接合,该 杆例如与底架122的垂直面板122a一体成形,从而防止打印滑架140 绕着滑动杆138向前枢转。\n作为说明性的示例,打印盒150是单色的打印盒,而打印盒152是 三色的打印盒,其采用了依照这里启示的打印头。\n打印滑架140通过环形带158沿着滑动杆138被驱动,该环形带可 以常规的方式被驱动,并根据例如常规技术利用线性编码条159来沿着 滑架扫描轴线检测打印滑架140的位置。\n尽管已在上面对本发明的特定实施例进行了说明和阐述,但对于本 领域的技术人员来说,可对其作出各种改型和变化,而不脱离如下面权 利要求限定的本发明的范围和精神。
法律信息
- 2021-02-12
专利权有效期届满
IPC(主分类): B41J 2/14
专利号: ZL 01813337.1
申请日: 2001.01.26
授权公告日: 2006.01.18
- 2012-05-30
专利权的转移
登记生效日: 2012.04.23
专利权人由惠普公司变更为惠普发展公司,有限责任合伙企业
地址由美国加利福尼亚州变更为美国德克萨斯州
- 2006-01-18
- 2003-12-17
- 2003-09-24
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有引用任何外部专利数据! |
被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |