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可集成的光子晶体双波导反向耦合式流体折射率传感器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710064457.9
  • IPC分类号:G02B6/10;G02B6/12;G02B6/26
  • 申请日期:
    2007-03-16
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称可集成的光子晶体双波导反向耦合式流体折射率传感器
申请号CN200710064457.9申请日期2007-03-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-08-22公开/公告号CN101021593
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/10IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;0;;;G;0;2;B;6;/;1;2;;;G;0;2;B;6;/;2;6查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市信箱82分箱清华大学专利办公室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人毛晓宇;黄翊东;张巍;彭江得
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明属于光电子技术领域,其特征在于,在半导体上采用电子束曝光和干法刻蚀工艺形成光子晶体双波导结构,光子晶体波导两端接有导光用的连接光波导,并通过选择湿法刻蚀去除牺牲层的一部分形成桥支撑结构。由于光子晶体双波导的反向耦合作用,偶对称传导模式交叉点对应频率的光能从直通波导反向耦合到耦合波导中,导致直通波导传输光谱出现明显凹陷。当被探测的流体物质充满光子晶体周期孔内、或所述光子晶体层的上下空间后,就改变了光子晶体双波导中传导模式的色散特性,或由于外力的作用改变了所述色散特性,都会引起偶对称传导模式交叉点频率的变化进而引起直通波导透射光谱的变化,从而实现了高灵敏度、可集成光子晶体结构的微流量折射率探测与传感。

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