具有多方位的绝缘层上覆硅芯片

实用新型专利无效专利

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专利名称	具有多方位的绝缘层上覆硅芯片
申请号	CN200420047859.X	申请日期	2004-04-01
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	杨育佳;杨富量
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	王一斌

摘要

本实用新型揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的孤立硅层，并且将P型晶体管设置于表面方位为(110)的孤立硅层上方，将N型晶体管设置于表面方位为(100)的孤立硅层上方。如此一来，P型晶体管会具有良好的电洞迁移率，N型晶体管会具有良好的电子迁移率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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