首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

高稳定半导体氢敏传感器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN89206041.7
IPC分类号：--
申请日期：
1989-04-27
申请人：
中国科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高稳定半导体氢敏传感器
申请号	CN89206041.7	申请日期	1989-04-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	徐永祥
代理机构	中国科学院专利事务所	代理人	卢纪

摘要

本实用新型公开了一种包含钯栅MOS器件的高稳定氢敏半导体传感器，它使一个氢敏钯栅MOS器件、一个对氢气没有电学响应的无钯层金属栅MOS器件、一个测温二极管与加热电阻集成在一块硅芯片上，用这样的氢敏半导体传感器组装成补偿电路的氢气检测装置具有高度稳定可靠的氢气检测性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供