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具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610100314.4
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2001-05-28
  • 申请人:
    奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
著录项信息
专利名称具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
申请号CN200610100314.4申请日期2001-05-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-12-20公开/公告号CN1881634
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请人地址
德国雷根斯堡 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司当前权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人B·哈恩;U·雅各布;H·-J·卢高尔;M·蒙布罗德-范格罗
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘春元;魏军
摘要
发光二极管芯片(1),具有基于GaN的进行辐射的外延层序列,该外延层序列具有一个有源区、一个n掺杂层和一个p掺杂层。所述p掺杂层在其背向有源区的主面上设有进行反射的接触金属敷层(6),该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层(15)和一个进行反射的层。另外还给出了一种用薄膜技术制造这种发光二极管芯片的方法以及一种具有这种发光二极管芯片的发光二极管器件。穿透辐射的接触层被布置在所述p掺杂层和所述反射层之间,而且所述的n掺杂层在其背向所述p掺杂层的主面上设有一个n接触层。

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