一种采用电沉积法在碳纳米管上制备二氧化锡电池正极材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010033606.7
IPC分类号：H01M4/1391;C25D3/30;C25D7/00;C25D5/54
申请日期：
2010-01-04
申请人：
北京航空航天大学

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著录项信息

专利名称	一种采用电沉积法在碳纳米管上制备二氧化锡电池正极材料的方法
申请号	CN201010033606.7	申请日期	2010-01-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-30	公开/公告号	CN101764213A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/1391 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/13 非水电解质蓄电池的电极，例如用于锂蓄电池的；其制造方法〔2010.01〕 H01M4/139 制造方法〔2010.01〕 H01M4/1391 基于混合氧化物或氢氧化物、或氧化物或氢氧化物的混合物的电极的，例如LiCoOx的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;1;3;9;1;;;C;2;5;D;3;/;3;0;;;C;2;5;D;7;/;0;0;;;C;2;5;D;5;/;5;4查看分类表>
申请人	北京航空航天大学	申请人地址	北京市海淀区学院路37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学	当前权利人	北京航空航天大学
发明人	张世超;冯涛
代理机构	北京永创新实专利事务所	代理人	李有浩

摘要

本发明公开了一种采用电沉积法在碳纳米管上制备二氧化锡电池正极材料的方法。首先配置电沉积溶液，并将溶液进行水浴处理；然后制备碳纳米管极片，并压合在泡沫镍基体上；将负载有碳纳米管极片的基体放入电沉积溶液中进行抽真空处理；最后将真空处理后极片进行恒流下的电沉积处理获得碳纳米管上负载有二氧化锡的电池正极材料。采用本发明方法制得的电池正极材料具有较高的功率性能，在200mV/s的高扫描速度下，质量比容量仍保持350～450F/g；用于超级电容器具有高的容量性能、良好的循环稳定性以及长的循环寿命，在恒定电流密度15A/g下，首次放电比容量为410～588F/g，循环次数可达到5000次以上，且比容量保持率在90～95％。

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