一种能算存一体化单元、计算器件、设备及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110498597.7
IPC分类号：H01L45/00;H01M10/0525;H01M10/058;G06N3/063
申请日期：
2021-05-07
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种能算存一体化单元、计算器件、设备及制备方法
申请号	CN202110498597.7	申请日期	2021-05-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-03	公开/公告号	CN113346014A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;8;;;G;0;6;N;3;/;0;6;3查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	张晓琨;向勇;王志平
代理机构	深圳市智享知识产权代理有限公司	代理人	王琴

摘要

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种能算存一体化单元、计算器件、设备及制备方法，该能算存一体化单元包括依次设置的Cu电极层、工作电极层、LiPON层和锂源电极层，当能算存一体化单元工作时，锂源电极层提供的至少一个锂离子通过LiPON层嵌入或脱出工作电极层，且所述工作电极层中对应不同锂离子含量形成不同的状态信息，本发明的能算存一体化单元可实现内部能量供给和信息数据处理的耦合，即本发明的能算存一体化单元在进行信息数据处理时可充分利用其内部存储的能量，而无需外部提供能量，从而避免了外部提供能量时造成的高功耗、高欧姆热，解决了现有计算机系统功耗高、性能趋于极限的问题。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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