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一种CMOS影像传感器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510765705.7
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2015-11-11
  • 申请人:
    武汉新芯集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称一种CMOS影像传感器
申请号CN201510765705.7申请日期2015-11-11
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-03-23公开/公告号CN105428377A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H01L27/146查看分类表>
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新四路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉新芯集成电路制造有限公司当前权利人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人王佳;何晓锋;黄建冬
代理机构北京轻创知识产权代理有限公司代理人陈卫
摘要
本发明涉及一种CMOS影像传感器,包括衬底层和位于衬底层上方的微透镜层和光过滤层;微透镜层包括若干个阵列分布的聚光透镜;光过滤层包括若干个阵列分布的透射光栅;衬底层包括若干个阵列分布的光电二极管组,光电二极管组包括依次排列的红色光电二极管、绿色光电二极管和蓝色光电二极管;透射光栅的出射面的下方均设置有一列光电二极管组,且其红色光电二极管对应于透射光栅的红光出射区,绿色光电二极管对应于透射光栅的绿光出射区,蓝色光电二极管对应于透射光栅的蓝光出射区。本发明用透射光栅取代彩色滤光片,波长范围宽,不存在光过滤损失,增加进入光电二极管的光强;提高CMOS影像传感器分辨率和色彩还原性,扩大其环境使用范围和应用领域。

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