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磁屏蔽电感元件制造方法及该磁屏蔽电感元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310212885.7
  • IPC分类号:H01F41/00;H01F17/04;H01F27/24
  • 申请日期:
    2013-05-31
  • 申请人:
    苏州隆亿电子科技有限公司
著录项信息
专利名称磁屏蔽电感元件制造方法及该磁屏蔽电感元件
申请号CN201310212885.7申请日期2013-05-31
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-12-17公开/公告号CN104217848A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01F41/00IPC分类号H;0;1;F;4;1;/;0;0;;;H;0;1;F;1;7;/;0;4;;;H;0;1;F;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人苏州隆亿电子科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市相城区黄埭镇春旺路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州隆亿电子科技有限公司当前权利人苏州隆亿电子科技有限公司
发明人杨坤
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明的一种磁屏蔽电感元件制造方法及该磁屏蔽电感元件属于电子元件技术领域。本发明的磁屏蔽电感元件制造方法包括材料准备步骤、套管套接步骤、加热步骤和冷却步骤。本发明的技术方案还包括通过上述方法制造的磁屏蔽电感元件,所述的磁屏蔽电感元件包括工型磁芯,缠绕于工型磁芯中部的线圈,设于工型磁芯两外端部的镀银层,套接于线圈外部的磁性套管,所述的磁性套管两端部与工型磁芯端部相邻。本发明的磁屏蔽电感元件制造方法具有工艺简单,成本低;所制造的磁屏蔽电感元件具有结构简单、屏蔽磁的效果明显,使用寿命长等特点。

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