1.3微米高密度量子点结构及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410009992.0
IPC分类号：C09K11/74
申请日期：
2004-12-09
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
申请号	CN200410009992.0	申请日期	2004-12-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-14	公开/公告号	CN1786107
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/74 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/74 含砷、锑或铋〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;7;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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