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双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911166780.6
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2019-11-25
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法
申请号CN201911166780.6申请日期2019-11-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-04-28公开/公告号CN111081777A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人曹震;赵嘉璇;邓世超;邵奕霖;于正洋;焦李成
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司代理人胡乐
摘要
本发明提出了一种双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法。该器件的特点是:基于超结结构,衬底的材料为元素半导体材料;在基区的上部临近超结漂移区的一端向外侧依次形成第一源区、沟道衬底接触、第二源区以及沟槽;器件表面对应于第一源区相应的第一沟道的区域形成平面栅绝缘层以及平面栅电极;沟槽贯穿基区并延伸到下方的缓冲层,沟槽的底面和侧面形成沟槽栅绝缘层,并基于沟槽栅绝缘层内表面以多晶硅填平形成沟槽栅电极;在第一源区、沟道衬底接触和第二源区表面短接形成源电极。本发明的平面栅和沟槽栅结构形成双栅结构,实现电子电流的双沟道导通,有效降低了器件的导通电阻。

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