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薄膜磁头

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN93109735.5
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1993-09-02
  • 申请人:
    里德-莱特公司
著录项信息
专利名称薄膜磁头
申请号CN93109735.5申请日期1993-09-02
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日1994-03-16公开/公告号CN1083959
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人里德-莱特公司申请人地址
美国加利福尼亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人里德-莱特公司当前权利人里德-莱特公司
发明人比得·G·斯科夫;华庆童
代理机构中国国际贸易促进委员会专利代理部代理人陈永红
摘要
一种薄膜磁头由透磁合金的第一和第二磁层形成以构成一带转换间隙的磁轭,并包括一沉积在第二磁层之下的一基层。基层由Fe-N-Al或Fe-N制成。基层可夹在由氧化硅或氧化铝构成的氧化层之间。基层具有高磁性饱和和高磁导率的特性。薄膜磁头可提供一高的写入场而不改变磁头尺寸;或者提供一小的间隙长度而不减小写入场的有效性。通过使用基层的薄膜磁头可增加线性记录密度和提高读取信号的水平。

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