半导体装置封装及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010171813.2
IPC分类号：H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48
申请日期：
2020-03-12
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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专利名称	半导体装置封装及其制造方法
申请号	CN202010171813.2	申请日期	2020-03-12
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-11	公开/公告号	CN112786560A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	凃顺财;林泓均;邱苡棠;吴怡君
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	蕭輔寬

摘要

本公开提供了一种半导体装置封装，其包括衬底、重新分布结构、导电衬垫、导电元件和导电通孔。所述重新分布结构设置在所述衬底之上，并且包含第一电介质层与第一导电层。所述导电衬垫设置在所述第一电介质层的第一表面上。所述导电元件设置在所述第一电介质层中，且电连接到所述导电衬垫。所述导电通孔从所述导电衬垫穿过所述导电元件和所述第一电介质层向所述衬底延伸。所述第一导电层与所述导电通孔分离。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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