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GaN基发光器件制作方法及其器件结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200510011661.5
IPC分类号：H01L33/00;H01S5/00
申请日期：
2005-04-29
申请人：
清华大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	GaN基发光器件制作方法及其器件结构
申请号	CN200510011661.5	申请日期	2005-04-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-12-14	公开/公告号	CN1707820
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	江苏省无锡市宜兴经济开发区文庄路创意软件大厦B幢325 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏北极皓天科技有限公司	当前权利人	江苏北极皓天科技有限公司
发明人	罗毅;韩彦军
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于氮化镓基发光器件的制作领域，其特征是通过在衬底材料和部分外延层中或仅在衬底材料中形成槽孔，并填充以热导率比衬底材料热导率高的材料来有效降低器件的热阻，从而提高包括LED发光效率等在内的器件各项性能指标。本发明有效消除了衬底材料热导率低或热膨胀系数失配等弊端，可获得高性能的GaN基发光器件。

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