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用于在单一处理腔室中从半导体膜去除氧化物和碳的设备和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810768539.X
IPC分类号：H01J37/32;H01L21/02
申请日期：
2018-07-13
申请人：
ASMIP控股有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于在单一处理腔室中从半导体膜去除氧化物和碳的设备和方法
申请号	CN201810768539.X	申请日期	2018-07-13
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-01-22	公开/公告号	CN109256315A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	ASMIP控股有限公司	申请人地址	荷兰阿尔梅勒变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ASMIP控股有限公司	当前权利人	ASMIP控股有限公司
发明人	林兴;高培培;王非;J·托勒;B·B·琼迪斯沃伦;V·拉玛纳坦;E·希尔
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	沙永生;乐洪咏

摘要

公开了一种用于在单个处理腔室内从半导体衬底去除碳基污染物和氧基污染物两者的系统和方法。本发明可以包括利用远程等离子单元和多个气体源在所述单个处理腔室中执行处理。

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