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一种用于高功率电子元器件的钼片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820207261.4
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L23/492
申请日期：
2018-02-06
申请人：
宜兴市宝登合金有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种用于高功率电子元器件的钼片
申请号	CN201820207261.4	申请日期	2018-02-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;2查看分类表>
申请人	宜兴市宝登合金有限公司	申请人地址	江苏省无锡市宜兴市丁蜀镇亨鑫路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宜兴市宝登合金有限公司	当前权利人	宜兴市宝登合金有限公司
发明人	俞智登;俞保文
代理机构	北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄冠华

摘要

本实用新型公开了一种用于高功率电子元器件的钼片，包括圆弧底和圆形圈，所述圆弧底的边缘与所述圆形圈的内边缘连接。本实用新型采用金属圆弧形锅状的钼片，大大提高耐高温能力，使得在同样的投影面积下增加金属薄片的表面积，使得导电性能更佳，同时增加表面积，使得散热面积也大大增加，使得散热更快，有效降低运行时的温度。

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