用于材料构图的硬掩模结构及其方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200580051001.8
IPC分类号：H01L21/00;B05C1/00;B44C1/22
申请日期：
2005-12-07
申请人：
国际商业机器公司

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著录项信息

专利名称	用于材料构图的硬掩模结构及其方法
申请号	CN200580051001.8	申请日期	2005-12-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-05	公开/公告号	CN101300661
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;B;0;5;C;1;/;0;0;;;B;4;4;C;1;/;2;2查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司	当前权利人	国际商业机器公司
发明人	迈克尔·C.·盖蒂斯;斯瓦南达·K.·卡纳卡萨巴帕西;欧格尼·J.·奥沙利文
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	秦晨

摘要

提供磁性器件制造的技术。在一个方面，对至少一种例如非挥发性材料构图的方法包括下面的步骤。硬掩模结构形成在将要构图的材料的至少一个表面上。硬掩模结构配置成具有最接近材料的基底，以及与基底相对的顶部。基底具有比硬掩模结构顶部的一个或多个横向尺寸大的一个或多个横向尺寸，使得基底的至少一部分横向延伸到顶部之外一段距离。硬掩模结构的顶部处于距离被刻蚀的材料比基底更大的垂直距离处。刻蚀材料。

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