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抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810055787.6
  • IPC分类号:H01J23/00;H01J25/10
  • 申请日期:
    2008-01-09
  • 申请人:
    中国科学院电子学研究所
著录项信息
专利名称抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置
申请号CN200810055787.6申请日期2008-01-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-10-08公开/公告号CN101281849
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J23/00IPC分类号H;0;1;J;2;3;/;0;0;;;H;0;1;J;2;5;/;1;0查看分类表>
申请人中国科学院电子学研究所申请人地址
北京市海淀区北四环西路19号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院电子学研究所当前权利人中国科学院电子学研究所
发明人丁耀根;孙小欣;张永清;丁海兵;沈斌
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明一种抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置,是用具有设定介电常数和介电损耗的电吸收材料组成的。通过选择该装置的材料参数,形状和尺寸、以及放置位置和连接方法可以有效地抑制多注速调管双间隙耦合腔输出电路中具有π模场形分布的高次模的振荡,降低由该类模式引起的杂谱电平。本发明对具有双间隙耦合腔输出电路的多注速调管能够抑制高次模式振荡,降低杂谱电平。

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