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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

电阻式随机存取存储器结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910261072.4
  • IPC分类号:H01L27/24
  • 申请日期:
    2019-04-02
  • 申请人:
    华邦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称电阻式随机存取存储器结构
申请号CN201910261072.4申请日期2019-04-02
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-10-13公开/公告号CN111769132A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/24IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人华邦电子股份有限公司申请人地址
中国台湾台中市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华邦电子股份有限公司当前权利人华邦电子股份有限公司
发明人吴伯伦;陈宜秀;沈鼎瀛;许博砚
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人王涛;任默闻
摘要
一种电阻式随机存取存储器结构,包含半导体衬底、晶体管、底电极、多个顶电极、以及电阻转换层。晶体管设置于半导体衬底之上。底电极设置于半导体衬底之上且与晶体管的漏极区电性连接。这些顶电极沿着底电极的侧壁设置。电阻转换层设置于这些顶电极与底电极之间。其中,电阻式随机存取存储器结构包含沿着底电极的侧壁设置的多个顶电极,以实现1TnR结构(其中n等于或大于4),使得电阻式随机存取存储器结构的单位面积的储存容量得以提升。

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