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一种太阳电池硅片的表面织构方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010283057.9
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2010-09-16
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种太阳电池硅片的表面织构方法
申请号CN201010283057.9申请日期2010-09-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-01-05公开/公告号CN101937946A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人杨德仁;顾鑫;余学功
代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司代理人胡红娟
摘要
本发明公开了一种太阳电池硅片的表面织构方法,包括如下步骤:利用低成本的化学法制备均匀的纳米级银颗粒溶液;去除硅片表面损伤层,并对硅片进行预织构;将纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在经预织构处理的硅片上,干燥;将得到的硅片浸泡在由双氧水、氢氟酸和无水乙酸组成的混合溶液中30s~10min;再浸泡在质量百分比浓度为40%~60%的硝酸中1~10min,并用去离子水清洗,得到了表面反射率很低的硅片。本发明工艺流程简单可行,成本低能耗低,重复性好、可移植性好并且产出高,具有较好的应用前景。

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