一种太阳电池硅片的表面织构方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010283057.9
IPC分类号：H01L31/18
申请日期：
2010-09-16
申请人：
浙江大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种太阳电池硅片的表面织构方法
申请号	CN201010283057.9	申请日期	2010-09-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-01-05	公开/公告号	CN101937946A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	杨德仁;顾鑫;余学功
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司	代理人	胡红娟

摘要

本发明公开了一种太阳电池硅片的表面织构方法，包括如下步骤：利用低成本的化学法制备均匀的纳米级银颗粒溶液；去除硅片表面损伤层，并对硅片进行预织构；将纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在经预织构处理的硅片上，干燥；将得到的硅片浸泡在由双氧水、氢氟酸和无水乙酸组成的混合溶液中30s～10min；再浸泡在质量百分比浓度为40％～60％的硝酸中1～10min，并用去离子水清洗，得到了表面反射率很低的硅片。本发明工艺流程简单可行，成本低能耗低，重复性好、可移植性好并且产出高，具有较好的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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