高整合度多天线阵列

发明专利有效专利

申请号：
CN201911390439.9
IPC分类号：H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q21/06
申请日期：
2019-12-30
申请人：
财团法人工业技术研究院

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高整合度多天线阵列
申请号	CN201911390439.9	申请日期	2019-12-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113054409A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/36 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形（H01Q 1/08，H01Q 1/14优先）	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;3;6;;;H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;/;5;0;;;H;0;1;Q;2;1;/;0;0;;;H;0;1;Q;2;1;/;0;6查看分类表>
申请人	财团法人工业技术研究院	申请人地址	中国台湾新竹县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人工业技术研究院	当前权利人	财团法人工业技术研究院
发明人	翁金辂;李伟宇;钟蔿
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陈小雯

摘要

本发明公开一种高整合度多天线阵列，包含第一导体层、第二导体层、多个连体导通结构、多个槽孔天线及连体槽孔结构。该第二导体层与该第一导体层之间具有第一间距。该多个连体导通结构均电气连接该第一导体层以及该第二导体层。各该槽孔天线均各自具有辐射槽孔结构与信号耦合线。各该辐射槽孔结构与该信号耦合线均彼此部分重叠或交错。该多个辐射槽孔结构均形成于该第二导体层。该多个信号耦合线均各自与该第二导体层之间具有耦合间距，并且该多个信号耦合线均各自具有信号馈入端。各该槽孔天线均各自被激发产生至少一共振模态，该多个共振模态涵盖至少一相同第一通讯系统频段。该连体槽孔结构形成于该第二导体层，并且其连通该多个辐射槽孔结构。

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