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一种用于研究平板结构热障涂层界面屈曲破坏的热障涂层试样的制备工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810143457.2
  • IPC分类号:G01N1/28;G01N3/08;G01N3/60;G01N19/08
  • 申请日期:
    2008-10-31
  • 申请人:
    湘潭大学
著录项信息
专利名称一种用于研究平板结构热障涂层界面屈曲破坏的热障涂层试样的制备工艺
申请号CN200810143457.2申请日期2008-10-31
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-04-01公开/公告号CN101398351
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N1/28IPC分类号G;0;1;N;1;/;2;8;;;G;0;1;N;3;/;0;8;;;G;0;1;N;3;/;6;0;;;G;0;1;N;1;9;/;0;8查看分类表>
申请人湘潭大学申请人地址
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘湘潭大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湘潭大学当前权利人湘潭大学
发明人毛卫国;戴翠英;周益春
代理机构长沙市融智专利事务所代理人颜勇
摘要
本发明公开了一种用于研究平板结构热障涂层界面屈曲破坏的热障涂层试样的制备工艺,即采用等离子喷涂工艺制备了含内埋界面缺陷的热障涂层实验试样。界面缺陷被设计在陶瓷层和粘结层之间,可以任意设置界面缺陷的长度和宽度数值,它的存在就隔离了陶瓷层与粘结层的直接结合,严重影响了陶瓷层与粘结层的结合性能,进而可以确定在这样的位置处其界面结合强度明显低于其它界面区域,因此本发明的制备工艺为研究陶瓷层界面屈曲破坏的试样制备提供了一种新的思路。其优点是采用该工艺制备的试样很好地解决了在实际研究中无法准确地预测热障涂层界面裂纹具体形成时间和位置,也对今后研究薄膜/涂层系统的界面屈曲问题提供良好的基础和经验借鉴。

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