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一种2到5微米波段范围内的硫系高双折射光子晶体光纤

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810077561.X
  • IPC分类号:G02B6/02
  • 申请日期:
    2018-01-26
  • 申请人:
    西安邮电大学
著录项信息
专利名称一种2到5微米波段范围内的硫系高双折射光子晶体光纤
申请号CN201810077561.X申请日期2018-01-26
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-06-12公开/公告号CN108152881A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/02IPC分类号G;0;2;B;6;/;0;2查看分类表>
申请人西安邮电大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区长安南路563号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安邮电大学当前权利人西安邮电大学
发明人惠战强;杨敏
代理机构北京轻创知识产权代理有限公司代理人王新生
摘要
本发明提供了一种2到5微米波段范围内的硫系高双折射光子晶体光纤,该光纤为六角晶格光子晶体结构缺失一个椭圆空气孔形成的硫系高双折射光子晶体光纤,包括位于光纤背景材料上的纤芯和包层,所述包层为六角晶格椭圆空气孔阵列结构,该六角晶格椭圆空气孔阵列结构由外部四个同心六边形构成的第一椭圆孔系和内部的第二椭圆孔系构成,所述纤芯为光纤背景材料上中心位置的实心区域。本发明采用多类型的椭圆空气孔结构包层对光纤中的光场进行限制,一方面避免了采用普通保偏光纤需要较长的长度,另一方面克服了二氧化硅基高双折射光纤只能工作于近红外波段的缺点,同时避免了在纤芯掺杂的复杂工艺。

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