具有微带波导的垂直transmon量子位器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201980021511.2
IPC分类号：H01L27/18;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L39/02;H01L39/22;H01L39/24;G06N10/00
申请日期：
2019-02-27
申请人：
国际商业机器公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有微带波导的垂直transmon量子位器件
申请号	CN201980021511.2	申请日期	2019-02-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-06	公开/公告号	CN111902942A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/18 包括有呈现超导电性的组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;8;;;B;8;2;Y;1;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;H;0;1;L;3;9;/;0;2;;;H;0;1;L;3;9;/;2;2;;;H;0;1;L;3;9;/;2;4;;;G;0;6;N;1;0;/;0;0查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约阿芒克变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司	当前权利人	国际商业机器公司
发明人	M.布林克;S.罗森布拉特;R.O.托帕洛格卢
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	暂无

摘要

一种芯片表面基底器件结构(200)，包括位于衬底(106A，106B)第一侧的超导材料(214A)，以及位于衬底第二侧且堆叠在第二衬底(102)上的第二超导材料(104)，其中衬底第一侧和衬底第二侧是相对的侧。在一个实施方式中，所述衬底或所述第二衬底，或者所述衬底和所述第二衬底是晶体硅。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括transmon量子位，transmon量子位包括电容器和约瑟夫逊结，约瑟夫逊结形成在衬底的通孔中并且包括隧道势垒。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括电耦合到transmon量子位的微带线。

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