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应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110040219.0
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/423
  • 申请日期:
    2011-02-18
  • 申请人:
    联华电子股份有限公司
著录项信息
专利名称应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造
申请号CN201110040219.0申请日期2011-02-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-08-22公开/公告号CN102646580A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人联华电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人联华电子股份有限公司当前权利人联华电子股份有限公司
发明人谢雅雪;蔡腾群;林文钦;许信国;黄任鹏;陈志仙;杨智钦;吕宏源;林仁杰;曹玮哲
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云
摘要
本发明公开一种应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造。该方法包括提供上方具有包括多晶硅假栅极与介电层的栅极构造的基板;去除多晶硅假栅极而形成沟槽;形成栅极阻障层于沟槽中;形成栅极金属层于栅极阻障层的表面上并填满沟槽;利用第一反应剂来对栅极金属层进行第一平坦化工艺,用以除去部分的栅极金属层,第一反应剂对栅极金属层的蚀刻速率大于对栅极阻障层的蚀刻速率;利用第二反应剂来对栅极阻障层与栅极金属层进行第二平坦化工艺,用以除去部分的栅极阻障层与栅极金属层,第二反应剂对栅极阻障层的蚀刻速率大于对栅极金属层的蚀刻速率。

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