一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210306177.5
IPC分类号：C21D7/02;C22F1/00
申请日期：
2012-08-26
申请人：
大连理工大学

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专利名称	一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法
申请号	CN201210306177.5	申请日期	2012-08-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-12	公开/公告号	CN102816911A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C21D7/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C21 铁的冶金 C21D 改变黑色金属的物理结构；黑色或有色金属或合金热处理用的一般设备；通过脱碳、回火或其他处理使金属具有韧性（扩散法渗入处理入C23C；涉及C23大类中的至少一种工艺和本小类中的至少一种工艺的金属材料表面处理入C23F 17/00；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层入C30B） C21D7/00 通过变形改变铁或钢的物理性能（金属机械加工设备入B21、B23、B24） C21D7/02 通过冷加工法	IPC分类号	C;2;1;D;7;/;0;2;;;C;2;2;F;1;/;0;0查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	张振宇;张念民;李方元;郭东明
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	侯明远

摘要

一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法，属于II-VI族软脆晶体纳米加工制造技术领域，特别涉及II-VI族软脆晶体的光电子器件制造的方法。其特征是采用表面粗糙度Ra≤1.5纳米的II-VI族软脆单晶体为样品，在≤1牛载荷下，用纳米压痕和纳米划痕制备单向、连续和无晶界纳米孪晶方法。压头为Berkovich三棱锥、圆锥和三棱直角锥，划针为圆锥形划针。制备的纳米孪晶结构为厚度在15-100纳米的大孪晶和小于15纳米的小孪晶交替分布模式。形成的纳米孪晶结构硬度可达80GPa，为原单晶体的100倍，并具有良好的塑性，可承受300次的循环加载。本发明的效果和益处是实现了机械变形制备II-VI族软脆晶体超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法。

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