具有环绕栅极的纳米线晶体管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200780011164.2
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/8242;H01L21/20
申请日期：
2007-04-03
申请人：
美光科技公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有环绕栅极的纳米线晶体管及其制造方法
申请号	CN200780011164.2	申请日期	2007-04-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-15	公开/公告号	CN101410963
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	伦纳德·福布斯
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王允方

摘要

本发明主题的一个方面涉及一种用于形成晶体管的方法。根据所述方法的实施例，在结晶衬底上形成非晶半导体材料柱，且执行固相外延工艺以使用所述结晶衬底作为晶体生长的晶种来使所述非晶半导体材料结晶。所述柱具有亚光刻厚度。在所述结晶半导体柱中在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间形成晶体管主体。在所述半导体柱周围形成环绕栅极绝缘体，且在所述半导体柱周围形成环绕栅极并通过所述环绕栅极绝缘体使其与所述半导体柱分离。本文中提供其它方面。

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