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离子注入装置及离子注入方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510310676.5
  • IPC分类号:H01J37/317;H01J37/21
  • 申请日期:
    2015-06-09
  • 申请人:
    斯伊恩股份有限公司
著录项信息
专利名称离子注入装置及离子注入方法
申请号CN201510310676.5申请日期2015-06-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-03公开/公告号CN105304442A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/317IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;3;7;/;2;1查看分类表>
申请人斯伊恩股份有限公司申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人斯伊恩股份有限公司当前权利人斯伊恩股份有限公司
发明人椛泽光昭;八木田贵典
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人徐殿军
摘要
本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(300)具备:射束扫描部(306);及配设于射束扫描部(306)的下游的射束平行化部(308)。射束扫描部(306)在入射离子束的中心轴上的射束扫描部(306)的中央部具有扫描原点。射束平行化部(308)在扫描原点具有作为平行化透镜的焦点。离子注入装置(300)构成为,向射束扫描部(306)入射的入射离子束的焦点位置沿着入射离子束的中心轴而位于扫描原点的上游侧。向射束扫描部(306)入射的入射离子束的焦点位置被调整为,沿着入射离子束的中心轴而位于扫描原点的上游侧,以便补正由从射束平行化部(308)射出的出射离子束的空间电荷效应引起的发散现象。

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