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一种改善IO器件栅致漏极泄漏电流的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110356299.0
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/265
  • 申请日期:
    2011-11-11
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种改善IO器件栅致漏极泄漏电流的方法
申请号CN201110356299.0申请日期2011-11-11
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-07-04公开/公告号CN102543750A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人谢欣云;黄晓橹;陈玉文
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人王敏杰
摘要
本发明提供一种改善IO器件栅致漏极泄漏电流的方法,包括制备侧墙工艺,所述制备侧墙工艺包括,在形成栅极的半导体硅基板上沉积一层光阻材料,并在光阻材料层上形成第一开口,所述第一开口内暴露出IO器件;对第一开口内暴露IO器件的源漏扩展区进行离子注入并形成源漏区;去除光阻材料层并在IO器件的两侧沉积形成侧墙。本发明在提供的改善IO器件栅致漏极泄漏电流的方法,把MOSIO器件的源漏扩展区的离子注入步骤放在沉积形成偏移量栅极步骤之前,利用侧墙沉积步骤中热效应制程使得MOSIO源漏扩展区节变成比较缓变节,降低发生带-带隧穿效应的可能性,有效改善MOSIO器件的GIDL效应,从而降低器件的漏电流。

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