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发光二极管

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201220483379.2
  • IPC分类号:H01L33/44;H01L33/36
  • 申请日期:
    2012-09-20
  • 申请人:
    昭和电工株式会社
著录项信息
专利名称发光二极管
申请号CN201220483379.2申请日期2012-09-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/44IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6查看分类表>
申请人昭和电工株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昭和电工株式会社当前权利人昭和电工株式会社
发明人粟饭原范行;村木典孝
代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩;杨光军
摘要
本实用新型提供以均匀膜厚形成保护膜和电极膜,保证稳定而高辉度的发光,防止侧面的劣化,谋求高可靠性和长寿命化的发光二极管。本实用新型的发光二极管,支持结构部含有反射层的一部分,其侧面通过湿式蚀刻而形成,含有倾斜部,含有倾斜部的水平方向的截面积朝向上表面连续变小地形成,台面型结构部,其倾斜侧面通过湿式蚀刻而形成,水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成,保护膜覆盖上表面、倾斜部、倾斜侧面和顶面的周边区域,并且在周边区域的内侧具有将半导体层的表面的一部分露出的通电窗,电极层是与从通电窗露出的表面直接接触并且覆盖在上表面上形成的保护膜,并具有光射出孔的连续膜。

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