翻面芯片以焊蜡球及焊蜡柱加层次性之下层填充结合在基底上

发明专利无效专利

申请号：
CN02116568.8
IPC分类号：--
申请日期：
2002-04-09
申请人：
林大成

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法律信息

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著录项信息

专利名称	翻面芯片以焊蜡球及焊蜡柱加层次性之下层填充结合在基底上
申请号	CN02116568.8	申请日期	2002-04-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-22	公开/公告号	CN1450616
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	林大成	申请人地址	台湾省台北市北投温泉路58巷9－3号1楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	林大成	当前权利人	林大成
发明人	林大成
代理机构	北京维澳专利代理有限公司	代理人	王瑛

摘要

本发明公开了一个把具有多个输入/输出电极的集成电路圆片利用一个翻面芯片包装程序而和基底接合的改良方法。此方法包含以下步骤：1.在该基底上牢固地放置多个焊接装置，每个焊接装置和在该集成电路以便上的该输入/输出电极的位置相对应以便焊接并合该翻面芯片相接合；2.将该集成电路圆片翻转，并将每个集成电路的翻面芯片垫和一个焊接装置对准；以及3.把该集成电路装在该基底上以便把每个该输入/输出电极放在相对应的焊接装置上并加以一个回流温度以便把该集成电路圆片和该基底相焊接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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