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集成电路封装件及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510059724.8
  • IPC分类号:H01L21/58;H01L21/60;H01L21/66;H01L23/488;H01L23/544
  • 申请日期:
    2015-02-05
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称集成电路封装件及其形成方法
申请号CN201510059724.8申请日期2015-02-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-08-19公开/公告号CN104851814A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/58IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人余振华;吴集锡;邱文智;李祥帆;戴世芃;邱当荣
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
本发明提出了一种形成集成电路封装件的方法。第一多个第一层堆叠件被安装在衬底上,其中,衬底具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相应的一个或多个接触焊盘并且具有与第一层堆叠件中的每一个堆叠件均相配套的一个或多个探测焊盘。电测试第一层堆叠件中的每一个堆叠件并且识别已知良好的第一层堆叠件和已知不良的第一层堆叠件。第一多个堆叠衬底被安装在已知良好的第一层堆叠件上,由此形成多个第二层堆叠件。电测试第二层堆叠件中的每一个堆叠件以识别已知良好的第二层堆叠件和已知不良的第二层堆叠件。本发明还提供了根据该形成集成电路封装件的方法而形成的半导体器件。

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