加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810730016.6
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2018-07-05
  • 申请人:
    江南大学
著录项信息
专利名称一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器
申请号CN201810730016.6申请日期2018-07-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-11-23公开/公告号CN108878417A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人江南大学申请人地址
江苏省无锡市蠡湖大道1800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江南大学当前权利人江南大学
发明人梁海莲;许强;顾晓峰
代理机构大连理工大学专利中心代理人梅洪玉;刘秋彤
摘要
一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器,属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域,可用于提高芯片的抗ESD能力。该器件包括嵌入式MOS、SCR、BJT结构和金属线,其中由PNP、NPN与PMOS辅助SCR结构的正向ESD电流泄放路径,以及由NPN、PNP与NMOS辅助触发SCR结构的反向ESD电流泄放路径SD电流泄放路径,不仅具有低触发、高维持电压的小电压回滞特性,还具有强ESD鲁棒性,与单向瞬态器相比,所述瞬态电压抑制器的单位面积ESD防护能力强。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供