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一种半导体设备

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921573735.8
  • IPC分类号:C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06
  • 申请日期:
    2019-09-20
  • 申请人:
    深圳市晶相技术有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体设备
申请号CN201921573735.8申请日期2019-09-20
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;C;2;3;C;1;4;/;5;0;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人深圳市晶相技术有限公司申请人地址
广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市晶相技术有限公司,苏州辰华半导体技术有限公司当前权利人深圳市晶相技术有限公司,苏州辰华半导体技术有限公司
发明人林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人王华英
摘要
本实用新型提出一种半导体设备,包括:生长腔体;基座,设置在所述生长腔体内,所述基座允许放置基板;靶材,设置在所述生长腔体内;磁体,设置在所述靶材相对的位置上;其中,所述磁体包括多个磁性单元,所述磁体是形成一弧形的磁场。本实用新型提出的半导体能够提高镀膜的均匀性。

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