一种紫外LED垂直结构芯片

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201821048062.X
IPC分类号：H01L33/10;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32;H01L23/34;H01L33/00
申请日期：
2018-06-29
申请人：
广东工业大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种紫外LED垂直结构芯片
申请号	CN201821048062.X	申请日期	2018-06-29
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/10 具有一个光反射结构，例如半导体布拉格反射镜〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;2;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;2;3;/;3;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	广东工业大学	申请人地址	广东省广州市越秀区东风东路729号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东工业大学	当前权利人	广东工业大学
发明人	何苗;杨思攀;王润;赵韦人
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠

摘要

本实用新型公开了一种紫外LED垂直结构芯片，包括：第一衬底；位于第一衬底一表面的发光外延层，发光外延层包括：位于第一衬底表面的N型外延层，位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层；位于发光外延层背离第一衬底一侧的反射层；位于第一衬底背离发光外延层一侧的N型电极结构，及位于反射层背离第一衬底一侧的P型电极结构。相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供