一种在射频应力下MOS晶体管性能退化的表征方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910934156.X
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2019-09-29
申请人：
天津大学

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著录项信息

专利名称	一种在射频应力下MOS晶体管性能退化的表征方法
申请号	CN201910934156.X	申请日期	2019-09-29
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-01-07	公开/公告号	CN110658436A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	傅海鹏;牛牧芊;马凯学
代理机构	天津市三利专利商标代理有限公司	代理人	韩新城

摘要

本发明公开一种在射频应力下MOS晶体管性能退化的表征方法，包括步骤：在确定的射频应力条件和直流应力条件下进行MOS晶体管的退化实验，得到不同应力条件下的1/f噪声曲线以及直流参数、射频参数的数据，提取不同应力条件和应力时间下1/f噪声参数的退化程度，并做出相应曲线；对比射频应力下的结果与直流应力下的结果，以此表征射频应力和直流应力对MOS晶体管的影响程度。本发明通过对射频应力后的结果与直流应力后相对比，可以得到不同应力对MOS晶体管的损伤情况。

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