加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

纳米T型栅的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510433165.2
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/335
  • 申请日期:
    2015-07-22
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第十三研究所
著录项信息
专利名称纳米T型栅的制作方法
申请号CN201510433165.2申请日期2015-07-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-12-02公开/公告号CN105118774A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第十三研究所申请人地址
河北省石家庄市合作路113号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第十三研究所当前权利人中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人张立森;邢东;王俊龙;梁士雄;杨大宝;冯志红
代理机构石家庄国为知识产权事务所代理人苏英杰
摘要
本发明公开了一种纳米T型栅的制作方法,涉及半导体器件及集成电路制作工艺技术领域。包括如下步骤:清洗基片并烘干,在基片上涂一次电子束光刻胶,烘干;涂二次电子束光刻胶,并进行电子束直写并显影,制作T型栅的上半部分;设置不同位置尺寸和剂量,对一次电子束光刻胶进行电子束直写;对一次电子束光刻胶进行显影,制作栅的下半部分;采用蒸发或溅射的方法沉积栅电极金属;剥离金属,去胶,完成T型栅制作。所述方法工艺简单,易行,提高了纳米T型栅的机械强度和器件成品率,降低了生产成本。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供