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一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110427584.7
  • IPC分类号:G05F3/30
  • 申请日期:
    2011-12-19
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路
申请号CN201110427584.7申请日期2011-12-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-06-19公开/公告号CN103163935A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F3/30
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IPC分类号G;0;5;F;3;/;3;0查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人姜宇;郭桂良;阎跃鹏
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人逯长明;王宝筠
摘要
本发明提供一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路,包括启动模块用于启动电流产生模块,当电流产生模块开始工作后,启动模块退出工作;电流产生模块产生一个与绝对温度成正比的电流;基准电压产生模块由与绝对温度成正比的电流结合具有负温度系数的PN结电压,产生一个与温度无关的基准电压;基准电流产生模块由基准电压与正温度系数的电阻结合产生一个与绝对温度互补的电流,该与绝对温度互补的电流与绝对温度成正比的电流结合产生一个与温度无关的基准电流。本发明提供的电路,利用一个正温度系数的电流和一个负温度系数的电流结合产生与温度无关的基准电流。而现有技术中由基准电压与电阻的比值实现的基准电流却受温度的影响。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供