一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源

发明专利无效专利

申请号：
CN200910301441.4
IPC分类号：G05F3/30
申请日期：
2009-04-09
申请人：
中国科学院微电子研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源
申请号	CN200910301441.4	申请日期	2009-04-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-16	公开/公告号	CN101533288
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G05F3/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G05 控制；调节 G05F 调节电变量或磁变量的系统（调节雷达或无线电导航系统中脉冲计时或脉冲重复频率的入G01S；专用于电子计时器中电流或电压的调节入G04G 19/02；用电装置调节非电变量的闭环系统入G05D；数字计算机的调节电源入G06F1/26；用于得到有衔铁时的所需电磁铁工作特性入H01F 7/18；调节电功率的配电网络入H02J；调节电池充电的入H02J 7/00；静态变换器输出的调节，例如开关式调节器入H02M；电发生器输出的调节入H02N，H02P 9/00；变压器、电抗器、或扼流圈的控制入H02P 13/00；调节放大器的频率响应、增益、最大输出、振幅或带宽的入H03G；调节谐振电路调谐的入H03J；控制电子振荡器或脉冲发生器的入H03L；调节传输线路特性的入H04B；控制电光源的入H05B 37/02，H05B 39/04，H05B 41/36；X射线设备的电气控制入H05G 1/30）〔4，5〕 G05F3/00 应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统 G05F3/02 调节电压或电流的 G05F3/08 其中变量是直流的 G05F3/10 利用具有非线性特性的非控制器件〔4〕 G05F3/16 非控制器件是半导体器件〔3〕 G05F3/20 应用了二极管与三极管的组合（G05F 3/18优先）〔3〕 G05F3/30 利用工作在不同电流密度下的两个双极型晶体管基一射极电压之间的差别的调节器（G05F 3/26优先）〔4〕	IPC分类号	G;0;5;F;3;/;3;0查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	范涛;袁国顺
代理机构	北京市德权律师事务所	代理人	王建国

摘要

本发明公开了一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源，属于电源及微电子技术领域。所述基准电压源包括：)；CTAT电流产生电路，于产生PTAT电流(IPTAT)；闭环补偿电流产生I)；参考于产生闭环补偿电流(ICL电压产生电路，用于产生参考电压源(Vref)；PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连，CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连，参考电压产生电路与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连。本发明提供的闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源结构，可以有效地提高补偿电流的精确度，进而提高输出参考电压的温度稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供