氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510042470.9
IPC分类号：C30B29/12;C30B27/00
申请日期：
2015-01-28
申请人：
北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所

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专利名称	氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法
申请号	CN201510042470.9	申请日期	2015-01-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-03	公开/公告号	CN104674344A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/12 卤化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;C;3;0;B;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路4号11所西门变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京雷生强式科技有限责任公司,中国电子科技集团公司第十一研究所	当前权利人	北京雷生强式科技有限责任公司,中国电子科技集团公司第十一研究所
发明人	李兴旺;马晓明;张月娟;夏士兴;杨国利;王永国
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	刘映东

摘要

本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿过籽晶杆的直径为60‑120mm的第一圆孔，该坩埚为铂坩埚或者铱金坩埚；该铜感应加热线圈的外表面镀有镍层或者喷涂有耐高温树脂层，能够耐氟化物气体腐蚀。基于发明的晶体生长炉和生长装置，发明了一种氟化钇锂激光晶体的制备方法，该方法采用感应加热方式，利用更换籽晶方式打捞漂浮物，实现了高质量氟化钇锂激光晶体的稳定生长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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